Seuraa 
Viestejä3

Mitä IGBT tekee ja mistä aineista se on tehty?

Kommentit (7)

ovolo
Seuraa 
Viestejä6597

IGBT tulee sanoista Insulated Gate Bipolar Transistor. Se on tavallaan MOSFETin ja bipolaaritransisorin sekasikiö ja se on tehty piistä. Sitä käytetään sekä kytkimenä että tehovahvistinsovelluksissa esim. audiopääteasteissa.

Tuossa on pari sivua, jossa on kerrottu asiasta hieman tarkemmin:
https://www.electronics-tutorials.ws/power/insulated-gate-bipolar-transi...
https://en.wikipedia.org/wiki/Insulated-gate_bipolar_transistor

Sisältö jatkuu mainoksen alla
Sisältö jatkuu mainoksen alla
Neutroni
Seuraa 
Viestejä31323

ovolo kirjoitti:
IGBT tulee sanoista Insulated Gate Bipolar Transistor. Se on tavallaan MOSFETin ja bipolaaritransisorin sekasikiö ja se on tehty piistä.

Työmiesmallit ovat piitä. Hienot herrat tinaavat vehkeensä piikarbidista tai galliumnitrideistä tehdyistä IGBT:stä. Niillä on tiettyjä etuja suurjännitteisissä puolijohteissa.

miilu
Seuraa 
Viestejä803

IGBT-transistorin hilaohjaus hoidetaan fetillä (kenttätehotransistori), eli kantavirtaa ei tarvitse ylläpitää. Toki hilakapasitanssin takia hetkellisesti tarvitaan virtapiikki. Lisäksi ohjauksella on ns. kynnysjännite (treshold), eli puolijohde alkaa johtaa vain tietyn kynnysjännitteen saavutettuaan. Tavallinen transistorihan joudutaan ajamaan hiukan negatiiviselle kantavirralle jotta se varmuudella ei johtaisi. IGBT onkin oiva komponentti suoraan logiikalla ohjattavissa.
Eli perinteinen transistori on virtaohjattava ja IGBT kenttäohjattava. Erot tulevat hyvinkin merkityksellisiksi suurilla jopa tuhannen amperin virroilla, joloin perinteisen transistorin kantavirrat nousevat hyvinkin suuriksi. (toimita hidastuu)
Nykyisin hakkurivirtalähteissä käytetään paljon IGBT-transistoreita, ja hakkuritaajuudet ovat suuria, tämän myötä katkaisuhäviöt on yhä merkittävämpiä. IGBT:n hilakapasitanssin lataaminen ja purkaminen pitää tehdä nopeasti, joten kyllä sitä tehoa menee hilaohjaukseenkin.
Tehopuolijohteissa tärkeä parametri on rth, eli kuinka nopeasti puolijohdekide luovuttaa häviöissä syntyneen lämmön jäähdytyslevylle. Kiteen ja kuoren välisssä on eriste, jonka materiaalilla ja paksuudella on suuri merkitys, niin jännitekestoisuuteen kuin rth-arvoon.
Lineaarikäyttöön IGBT ei sovellu.
Mitä tulevaisuudessa, niin? Tuossa IGBT:n perusrakenteessa on vielä parantamista. Erityisesti ohjauslogiikan ymppäyksessä itse komponenttiin. Kun kehittäisivät vielä tehokkaan kvanttilämmönsiirron puolijohteelle.

ovolo
Seuraa 
Viestejä6597

miilu kirjoitti:
Lineaarikäyttöön IGBT ei sovellu.

Esim. tuossa on tehty lineaarinen audiopääteaste IGBT-päätekivillä hyvillä suoritusarvoilla. Ja kytkennässä käytettyjen GT20D201  datasheet https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/30904/TOSHIBA/GT20D201.html (sivu 2) ei eroa esim. tavallisen MOSFET-transistorin toimintakäyrästöstä.

Eri asia tietysti on, jos IGBT:hen on ympätty esim. komparaattoria tai muuta sälää nimenomaan kytkinkäyttöä varten.

jussipussi
Seuraa 
Viestejä46137

miilu kirjoitti:
 Kun kehittäisivät vielä tehokkaan kvanttilämmönsiirron puolijohteelle.

"In a finding that runs counter to a common assumption in physics, researchers at the University of Michigan ran a light emitting diode (LED) with electrodes reversed in order to cool another device mere nanometers away.

The approach could lead to new solid-state cooling technology for future microprocessors, which will have so many transistors packed into a small space that current methods can't remove heat quickly enough.

"We have demonstrated a second method for using photons to cool devices," said Pramod Reddy, who co-led the work with Edgar Meyhofer, both professors of mechanical engineering."

https://www.ecnmag.com/news/2019/02/running-led-reverse-could-cool-futur... .

Suosituimmat

Uusimmat

Sisältö jatkuu mainoksen alla

Uusimmat

Suosituimmat